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Infineon Technologies

IPI045N10N3 G

工場モデル IPI045N10N3 G
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 N-CHANNEL POWER MOSFET
パッケージ PG-TO262-3-1
株式 5059 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5059のInfineon Technologies IPI045N10N3 Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 150µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3-1
シリーズ OptiMOS™3
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.5mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） 214W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8410 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 117 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 137A (Tc)

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